Framleiðandi Vöru númer:
TSM80N1R2CH C5G
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM80N1R2CH C5G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Birgðir:
12897864
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM80N1R2CH C5G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
685 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251 (IPAK)
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
TSM80
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
TSM80N1R2CH C5G-DG
TSM80N1R2CHC5G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TSM80N1R2CH
FRAMLEIÐANDI
Taiwan Semiconductor Corporation
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
TSM80N1R2CH-DG
Einingaverð
2.22
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IPS80R1K2P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TSM60N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
TSM3N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
TSM4806CS RLG
MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
